DMNH6008SCTQ

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Spécifications

Modèle de produit

DMNH6008SCTQ
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMNH6008SCTQ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

210W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2596pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

130A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMNH6008SCTQ".

DMNH6021SPD-13

La description: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated

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