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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMT3003LFG-7
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2171991DMT3003LFG-7 imageDiodes Incorporated

DMT3003LFG-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DMT3003LFG-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMT3003LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerDI3333-8
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.4W (Ta), 62W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2370pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.4W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    22A (Ta), 100A (Tc)

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Paiement
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DMT3004LFG-7

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La description: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMT3006LFV-7

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La description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMT3006LFV-13

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La description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMT3006LFG-13

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La description: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

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DMT2P68K-F

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La description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

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DMT2P1K-F

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La description: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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DMT3006LFDF-7

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La description: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT2P22K-F

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La description: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
DMT2P33K-F

DMT2P33K-F

La description: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
DMT3006LFDF-13

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La description: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMT2S47K-F

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La description: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
DMT3006LDK-7

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La description: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT3006LFG-7

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La description: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT3004LFG-13

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La description: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13

La description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMT2P68K

DMT2P68K

La description: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
DMT2S1K-F

DMT2S1K-F

La description: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

La description: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
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DMT3003LFG-13

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La description: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

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RFQ
DMT2P47K-F

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La description: CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
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