DMT6010SCT

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Spécifications

Modèle de produit

DMT6010SCT
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMT6010SCT.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.3W (Ta), 104W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

DMT6010SCTDI-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1940pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

36.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

98A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "DMT6010SCT".

DMT6009LSS-13

La description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Fabricant: Diodes Incorporated

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