EMF21-7

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Spécifications

Modèle de produit

EMF21-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

EMF21-7.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur

SOT-563
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

300mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SOT-563, SOT-666
Autres noms

EMF21DICT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz, 280MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 280MHz 300mW Surface Mount SOT-563
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA, 500mA
Numéro de pièce de base

EMF21

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Ce qui suit est des produits liés à "EMF21-7".

EMF5XV6T5

La description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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