HTMN5130SSD-13

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Spécifications

Modèle de produit

HTMN5130SSD-13
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

HTMN5130SSD-13.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max

1.7W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

HTMN5130SSD-13DI
HTMN5130SSD-13DI-ND
HTMN5130SSD-13DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

218.7pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.6A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "HTMN5130SSD-13".

HTMS-102-03-S-D-EM

La description: CONN HEADER 4POS .50" EDGE MNT

Fabricant: Samtec Inc.

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