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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > US1J-13-F
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4430448US1J-13-F imageDiodes Incorporated

US1J-13-F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    US1J-13-F
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    US1J-13-F.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    75ns
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    DO-214AC, SMA
  • Autres noms
    US1J-FDICT
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    US1J

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "US1J-13-F".
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

La description: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
US1JFA

US1JFA

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1J-13

US1J-13

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1J/1

US1J/1

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
En stock
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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