ZTX855

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Spécifications

Modèle de produit

ZTX855
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZTX855.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 400mA, 4A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

E-Line (TO-92 compatible)
Séries

-
Puissance - Max

1.2W
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Autres noms

ZTX855DI
Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

90MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 4A 90MHz 1.2W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

4A

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Ce qui suit est des produits liés à "ZTX855".

ZTX849STOB

La description: TRANS NPN 30V 5A E-LINE

Fabricant: Diodes Incorporated

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