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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > ZXMC3A16DN8TA
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2119784ZXMC3A16DN8TA imageDiodes Incorporated

ZXMC3A16DN8TA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMC3A16DN8TA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMC3A16DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 9A, 10V
  • Puissance - Max
    1.25W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    ZXMC3A16DN8TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    796pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    17.5nC @ 10V
  • type de FET
    N and P-Channel
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.9A, 4.1A

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La description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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La description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

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La description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated
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Fabricant: Diodes Incorporated
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La description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

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