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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > ZXMP6A13GTA
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5067675ZXMP6A13GTA imageDiodes Incorporated

ZXMP6A13GTA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ZXMP6A13GTA
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ZXMP6A13GTA.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 900mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Autres noms
    ZXMP6A13GTR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    219pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.9nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    P-Channel 60V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.7A (Ta)

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