ZXMP6A17N8TC

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMP6A17N8TC
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMP6A17N8TC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.56W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMP6A17N8TCTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 2.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.7A (Ta)

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