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EPC2107

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EPC2107
  • Fabricant / marque
    EPC
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    EPC2107.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Package composant fournisseur
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Séries
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
  • Puissance - Max
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    9-VFBGA
  • Autres noms
    917-1168-2
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    14 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • type de FET
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • Fonction FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.7A, 500mA

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "EPC2107".
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

La description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2104ENG

EPC2104ENG

La description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2104

EPC2104

La description: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

La description: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2111

EPC2111

La description: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

La description: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

La description: 200 V GAN IC FET DRIVER

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

La description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

La description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

La description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2106

EPC2106

La description: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

La description: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2202

EPC2202

La description: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

La description: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

La description: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

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RFQ
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

La description: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2103ENG

EPC2103ENG

La description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2108

EPC2108

La description: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Fabricant: EPC
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RFQ
EPC2105

EPC2105

La description: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricant: EPC
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EPC2110

EPC2110

La description: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Fabricant: EPC
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