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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N4448-T
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34701261N4448-T imageElectro-Films (EFI) / Vishay

1N4448-T

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N4448-T
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1N4448-T.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1V @ 10mA
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    75V
  • Package composant fournisseur
    DO-35
  • La vitesse
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    4ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Autres noms
    1N4448-TGI
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 75V 500mA Through Hole DO-35
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 75V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    500mA
  • Capacité à Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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1N4448-A

1N4448-A

La description: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N4448

1N4448

La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

La description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

La description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricant: Central Semiconductor
En stock
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
1N4448 A0G

1N4448 A0G

La description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

La description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

La description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

La description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

La description: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4448 TR

1N4448 TR

La description: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricant: Central Semiconductor Corp
En stock
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N4448,113

1N4448,113

La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Fabricant: Nexperia
En stock
RFQ
1N4447TR

1N4447TR

La description: DIODE GEN PURP 100V DO35

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

La description: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4448

1N4448

La description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N4448,143

1N4448,143

La description: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
RFQ
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