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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N6479HE3/96
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55535961N6479HE3/96 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

1N6479HE3/96

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N6479HE3/96
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.1N6479HE3/96.pdf
    2.1N6479HE3/96.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    100V
  • Package composant fournisseur
    DO-213AB
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    SUPERECTIFIER®
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 100V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    1N6479

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Expédition
Paiement
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1N6481-E3/97

1N6481-E3/97

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
En stock
RFQ
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6476

1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
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RFQ
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
En stock
RFQ
1N647UR-1

1N647UR-1

La description: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
En stock
RFQ
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
1N6476

1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Semtech
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RFQ
1N6476US

1N6476US

La description: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
1N6476US

1N6476US

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricant: Semtech
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RFQ
1N648-1

1N648-1

La description: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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