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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > ES3GHE3_A/H
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4902631ES3GHE3_A/H imageElectro-Films (EFI) / Vishay

ES3GHE3_A/H

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ES3GHE3_A/H
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    400V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AB (SMC)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    50ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AB, SMC
  • Autres noms
    ES3GHE3_A/H-ND
    ES3GHE3_A/HGITR
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    53 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 400V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    ES3G
ES3GB R5G

ES3GB R5G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3HR7G

ES3HR7G

La description: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3GB M4G

ES3GB M4G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3G-E3/57T

ES3G-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3HM6G

ES3HM6G

La description: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3HBHM4G

ES3HBHM4G

La description: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3GHR7G

ES3GHR7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3G-E3/9AT

ES3G-E3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3GHM6G

ES3GHM6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3HB M4G

ES3HB M4G

La description: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3J

ES3J

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3GHE3_A/I

ES3GHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
ES3HB R5G

ES3HB R5G

La description: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

La description: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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