IRFD113

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Spécifications

Modèle de produit

IRFD113
Fabricant / marque

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRFD113.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

4-HVMDIP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 800mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

800mA (Tc)

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IRFD120PBF

La description:

Fabricant: Vishay Semiconductors

En stock

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