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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI1013R-T1-GE3
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1147145SI1013R-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1013R-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI1013R-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI1013R-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    450mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SC-75A
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    150mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-75A
  • Autres noms
    SI1013R-T1-GE3TR
    SI1013RT1GE3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    350mA (Ta)

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Expédition
Paiement
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SI1013R-T1-E3

SI1013R-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1013-C-GM2

SI1013-C-GM2

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1015-A-GM

SI1015-A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1015-A-GMR

SI1015-A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1014-A-GM

SI1014-A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1013-A-GM

SI1013-A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1013-C-GM2R

SI1013-C-GM2R

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1013-A-GMR

SI1013-A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1014-C-GM2R

SI1014-C-GM2R

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1015-C-GM2R

SI1015-C-GM2R

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1014-A-GMR

SI1014-A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1013X-T1-E3

SI1013X-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI1015-C-GM2

SI1015-C-GM2

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI1014-C-GM2

SI1014-C-GM2

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-VFLGA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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