Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI1056X-T1-E3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
6080889SI1056X-T1-E3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1056X-T1-E3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI1056X-T1-E3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI1056X-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SC-89-6
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    236mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-563, SOT-666
  • Autres noms
    SI1056X-T1-E3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    -

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI1056X-T1-E3".
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V SC-89

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1046R-T1-E3

SI1046R-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1061-A-GMR

SI1061-A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1061-A-GM

SI1061-A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V SC89

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI1040X-T1-GE3

SI1040X-T1-GE3

La description: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1062-A-GMR

SI1062-A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI1062-A-GM

SI1062-A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.