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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI3451DV-T1-GE3
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6211281SI3451DV-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3451DV-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI3451DV-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    6-TSOP
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    5.1nC @ 5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.8A (Tc)
SI3445DV-T1-E3

SI3445DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3452A-B02-GM

SI3452A-B02-GM

La description: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3452B-B02-GM

SI3452B-B02-GM

La description: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3446ADV-T1-GE3

SI3446ADV-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3447BDV-T1-GE3

SI3447BDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3447CDV-T1-GE3

SI3447CDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3452A-B01-GM

SI3452A-B01-GM

La description: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3445DV-T1-GE3

SI3445DV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3452A-B01-IM

SI3452A-B01-IM

La description: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3446ADV-T1-E3

SI3446ADV-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3452-B02-GMR

SI3452-B02-GMR

La description: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3452A-B02-GMR

SI3452A-B02-GMR

La description: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3445ADV-T1-GE3

SI3445ADV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3452-B01-GM

SI3452-B01-GM

La description: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3452-B01-IM

SI3452-B01-IM

La description: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3452-B02-GM

SI3452-B02-GM

La description: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3451DV-T1-E3

SI3451DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3452B-B01-GM

SI3452B-B01-GM

La description: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3447CDV-T1-E3

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La description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

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