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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI3458BDV-T1-E3
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23182SI3458BDV-T1-E3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3458BDV-T1-E3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI3458BDV-T1-E3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    6-TSOP
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta), 3.3W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Autres noms
    SI3458BDV-T1-E3-ND
    SI3458BDV-T1-E3TR
    SI3458BDVT1E3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.1A (Tc)
SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI3459DV-T1-E3

SI3459DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI3456BDV-T1-GE3

SI3456BDV-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI3457BDV-T1-GE3

SI3457BDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3458DV-T1-E3

SI3458DV-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3459-KIT

SI3459-KIT

La description: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3459-B02-IM

SI3459-B02-IM

La description: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3457DV

SI3457DV

La description: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

La description: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3459-B02-IMR

SI3459-B02-IMR

La description: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3456DDV-T1-E3

SI3456DDV-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3460-E02-GM

SI3460-E02-GM

La description: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI3456CDV-T1-E3

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La description: MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

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