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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI3493BDV-T1-E3
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419796SI3493BDV-T1-E3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3493BDV-T1-E3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI3493BDV-T1-E3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI3493BDV-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    6-TSOP
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Autres noms
    SI3493BDV-T1-E3TR
    SI3493BDVT1E3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1805pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    43.5nC @ 5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI3483-A02-GM

SI3483-A02-GM

La description: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3483DV-T1-E3

SI3483DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3483-A02-GMR

SI3483-A02-GMR

La description: IC POE PSE 64PORT 24QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3482-A01-GM

SI3482-A01-GM

La description: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3482-A01-GMR

SI3482-A01-GMR

La description: IC CTLR POE 24-48PORT PSE 24-QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3493BDV-T1-GE3

SI3493BDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3483CDV-T1-GE3

SI3483CDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3499DV-T1-E3

SI3499DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3484-A01-GMR

SI3484-A01-GMR

La description: POWER MANAGEMENT IC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI3483CDV-T1-E3

SI3483CDV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3493DV-T1-E3

SI3493DV-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

La description: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3495DV-T1-GE3

SI3495DV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3483DV-T1-GE3

SI3483DV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI3484-A01-GM

SI3484-A01-GM

La description: PSE POWER MANAGEMENT IC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

La description: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI3493DV-T1-GE3

SI3493DV-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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