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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4166DY-T1-GE3
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SI4166DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4166DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4166DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Ta), 6.5W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4166DY-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    27 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2730pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 30.5A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30.5A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4136-F-GTR

SI4136-F-GTR

La description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4160DY-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4170DY-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4162DY-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4154DY-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
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