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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4425BDY-T1-GE3
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SI4425BDY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4425BDY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 11.4A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.5W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4425BDY-T1-GE3-ND
    SI4425BDY-T1-GE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    P-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    8.8A (Ta)
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4425BDY-T1-E3

SI4425BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4421-A0-FTR

SI4421-A0-FTR

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4421-A1-FTR

SI4421-A1-FTR

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4426DY-T1-E3

SI4426DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4426DY-T1-GE3

SI4426DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4420DYTRPBF

SI4420DYTRPBF

La description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4421-A1-FT

SI4421-A1-FT

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4421-A0-FT

SI4421-A0-FT

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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