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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4456DY-T1-GE3
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SI4456DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4456DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4456DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5670pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    33A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI4461-B1B-FM

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La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4455-B1A-FM

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La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4460-B1B-FMR

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La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4461-868-DK

SI4461-868-DK

La description: KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4459BDY-T1-GE3

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La description: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4460-C2A-GM

SI4460-C2A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4460-B0B-FM

SI4460-B0B-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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La description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4460-C2A-GMR

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La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4460-B1B-FM

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La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4461-B0B-FM

SI4461-B0B-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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