Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > SI4511DY-T1-GE3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1563659

SI4511DY-T1-GE3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4511DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4511DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
  • Puissance - Max
    1.1W
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4511DY-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • type de FET
    N and P-Channel
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    7.2A, 4.6A
  • Numéro de pièce de base
    SI4511

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI4511DY-T1-GE3".
SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4542DY-T1-GE3

SI4542DY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4542DY

SI4542DY

La description: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
SI4532DY

SI4532DY

La description: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4539ADY-T1-GE3

SI4539ADY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4539ADY-T1-E3

SI4539ADY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.