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SI4752DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4752DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4752DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    SkyFET®, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Ta), 6.25W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    Schottky Diode (Body)
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 25A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    25A (Tc)

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SI4752-A40-GM

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Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4753-A10-GM

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Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4752-A10-GM

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SI4751-A40-GM

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SI4752-A10-AMR

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SI4752-A40-AM

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SI4753-A40-GMR

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SI4752-A10-GMR

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SI4753-A40-AMR

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SI4751-A40-GMR

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SI4752-A40-AMR

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SI4753-A40-AM

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SI4753-A10-GMR

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SI4754-A10-AMR

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SI4753-A40-GM

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SI4752-A10-AM

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