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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4880DY-T1-GE3
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SI4880DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4880DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4880DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.5W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    -

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SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4888DY-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

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SI4866BDY-T1-E3

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La description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4890BDY-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4890DY-T1-E3

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La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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