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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI5855CDC-T1-E3
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5874736SI5855CDC-T1-E3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5855CDC-T1-E3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI5855CDC-T1-E3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    1206-8 ChipFET™
  • Séries
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SMD, Flat Lead
  • Autres noms
    SI5855CDC-T1-E3-ND
    SI5855CDC-T1-E3TR
    SI5855CDCT1E3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    276pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 3.7A (Tc) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.7A (Tc)
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI5858DU-T1-E3

SI5858DU-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI5857DU-T1-E3

SI5857DU-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

La description: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5853DDC-T1-E3

SI5853DDC-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

La description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

La description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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