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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI7100DN-T1-GE3
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1288763SI7100DN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI7100DN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI7100DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    PowerPAK® 1212-8
  • Température de fonctionnement
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3810pF @ 4V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 8V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    8V
  • Description détaillée
    N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    35A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI7060-EVB

SI7060-EVB

La description: SI7060 EVALUATION BOARD

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

La description: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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