Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI8469DB-T2-E1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1357911SI8469DB-T2-E1 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8469DB-T2-E1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI8469DB-T2-E1
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI8469DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    780mW (Ta), 1.8W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    4-UFBGA
  • Autres noms
    SI8469DB-T2-E1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 4V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    8V
  • Description détaillée
    P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.6A (Ta)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI8469DB-T2-E1".
SI8481DB-T1-E1

SI8481DB-T1-E1

La description: MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8463BB-B-IS1R

SI8463BB-B-IS1R

La description: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8463BB-A-IS1R

SI8463BB-A-IS1R

La description: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8489EDB-T2-E1

SI8489EDB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1

La description: MOSFET P-CH 30V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI84XXCOM-RD

SI84XXCOM-RD

La description: KIT EVAL FOR SI84XXCOM

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8473EDB-T1-E1

SI8473EDB-T1-E1

La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8499DB-T2-E1

SI8499DB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8463BA-B-IS1

SI8463BA-B-IS1

La description: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

La description: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8463BB-B-IS1

SI8463BB-B-IS1

La description: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8463BA-A-IS1R

SI8463BA-A-IS1R

La description: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8463BB-A-IS1

SI8463BB-A-IS1

La description: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI8475EDB-T1-E1

SI8475EDB-T1-E1

La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8472DB-T2-E1

SI8472DB-T2-E1

La description: MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8497DB-T2-E1

SI8497DB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8465DB-T2-E1

SI8465DB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI8463BA-B-IS1R

SI8463BA-B-IS1R

La description: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.