Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SIR878BDP-T1-RE3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
334822SIR878BDP-T1-RE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR878BDP-T1-RE3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.789
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SIR878BDP-T1-RE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® SO-8
  • Séries
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    PowerPAK® SO-8
  • Autres noms
    SIR878BDP-T1-RE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1850pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    7.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 12A (Ta), 42.5A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    12A (Ta), 42.5A (Tc)
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

La description: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Fabricant: Everlight Electronics
En stock
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

La description: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter