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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SIS782DN-T1-GE3
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4078602SIS782DN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS782DN-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SIS782DN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
    SIS782DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    41W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    PowerPAK® 1212-8
  • Autres noms
    SIS782DN-T1-GE3DKR
  • Température de fonctionnement
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1025pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    30.5nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    Schottky Diode (Body)
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 16A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    16A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

La description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

La description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

La description: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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