Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SQ2301ES-T1_GE3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
6543269

SQ2301ES-T1_GE3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
3000+
$0.171
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SQ2301ES-T1_GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SQ2301ES-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-236 (SOT-23)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    SQ2301ES-T1_GE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    425pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.9A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SQ2301ES-T1_GE3".
SQ2355

SQ2355

La description: BIT POWER SQUARE #2 3.5"

Fabricant: Klein Tools
En stock
RFQ
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3

La description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2303P72RTN

SQ2303P72RTN

La description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Fabricant: Laird Technologies - Antennas
En stock
RFQ
SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3

La description: MOSFET P-CHAN 12V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2319ES-T1-GE3

SQ2319ES-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3

La description: MOSFET P-CHAN 60V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

La description: MOSFET P-CHAN 30V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2303P36RSM

SQ2303P36RSM

La description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Fabricant: Laird Technologies - Antennas
En stock
RFQ
SQ2303PNF

SQ2303PNF

La description: RF ANT 2.4GHZ PANEL N FEM CHASS

Fabricant: Laird Technologies - Antennas
En stock
RFQ
SQ2303P12NF

SQ2303P12NF

La description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Fabricant: Laird Technologies - Antennas
En stock
RFQ
SQ215

SQ215

La description: BIT POWER SQUARE #2 1"

Fabricant: Klein Tools
En stock
RFQ
SQ2318AES-T1_GE3

SQ2318AES-T1_GE3

La description: MOSFET N-CHAN 40V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2115

SQ2115

La description: BIT POWER SQUARE #2 1"

Fabricant: Klein Tools
En stock
RFQ
SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 2.3A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

La description: MOSFET P-CHAN 20V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQ2303P36RTN

SQ2303P36RTN

La description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Fabricant: Laird Technologies - Antennas
En stock
RFQ
SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

La description: MOSFET P-CHAN 80V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.