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Accueil > Centre des produits > Condensateurs > Condensateurs au tantale > TH5E106K021A1000
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6168040TH5E106K021A1000 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

TH5E106K021A1000

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Spécifications
  • Modèle de produit
    TH5E106K021A1000
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    CAP TANT 10UF 21V 10% 2917
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    TH5E106K021A1000.pdf
  • Tension - Nominale
    21V
  • Type
    Molded
  • Tolérance
    ±10%
  • Taille / Dimension
    0.287" L x 0.170" W (7.29mm x 4.32mm)
  • Séries
    TANTAMOUNT®, TH5
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    2917 (7343 Metric)
  • Autres noms
    718-1898-1
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 200°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Code du fabricant Taille
    E
  • Vie à temp.
    -
  • Espacement des fils
    -
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Hauteur - Installé (max)
    0.169" (4.30mm)
  • Caractéristiques
    High Reliability
  • Taux d'échec
    -
  • ESR (résistance série équivalente)
    1 Ohm
  • Description détaillée
    10µF Molded Tantalum Capacitors 21V 2917 (7343 Metric) 1 Ohm
  • Capacitance
    10µF

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "TH5E106K021A1000".
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

La description: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

La description: 4G SLC NAND BGA 24NM

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

La description: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

La description: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

La description: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

La description: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

La description: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

La description: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

La description: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

La description: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

La description: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

La description: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

La description: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

La description: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

La description: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
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