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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > ISL9R8120S3ST
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331649ISL9R8120S3ST imageFairchild/ON Semiconductor

ISL9R8120S3ST

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ISL9R8120S3ST
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    8A
  • Tension - Ventilation
    TO-263AB
  • Séries
    Stealth™
  • État RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    30pF @ 10V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    ISL9R8120S3ST-ND
    ISL9R8120S3STFSTR
  • Température d'utilisation - Jonction
    300ns
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    ISL9R8120S3ST
  • Description élargie
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
  • Configuration diode
    100µA @ 1200V
  • La description
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    3.3V @ 8A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    1200V (1.2kV)
  • Capacité à Vr, F
    -55°C ~ 150°C
ISL9R460PF2

ISL9R460PF2

La description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R3060P2

ISL9R3060P2

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9V2040S3S

ISL9V2040S3S

La description: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

La description: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST

La description: IGBT 430V 10A 130W TO252AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9V2540S3S

ISL9V2540S3S

La description: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9V2540S3ST

ISL9V2540S3ST

La description: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R460S3ST

ISL9R460S3ST

La description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R860S3ST

ISL9R860S3ST

La description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R860PF2

ISL9R860PF2

La description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R860P2

ISL9R860P2

La description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9V2040S3ST

ISL9V2040S3ST

La description: IGBT 430V 10A 130W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R8120P2

ISL9R8120P2

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R18120S3ST

ISL9R18120S3ST

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ISL9R3060G2

ISL9R3060G2

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

La description: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ISL9R460P2

ISL9R460P2

La description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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