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1N3767

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Spécifications

Modèle de produit

1N3767
Fabricant / marque

GeneSiC Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 900V 35A DO5
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.1N3767.pdf
2.1N3767.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

35A
Tension - Ventilation

DO-5
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms

1N3767GN
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Référence fabricant

1N3767
Description élargie

Diode Standard 900V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Configuration diode

10µA @ 50V
La description

DIODE GEN PURP 900V 35A DO5
Courant - fuite, inverse à Vr

1.2V @ 35A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

900V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 190°C

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1N3768R

La description: DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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