FR12JR02

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Spécifications

Modèle de produit

FR12JR02
Fabricant / marque

GeneSiC Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FR12JR02.pdf
2.FR12JR02.pdf
3.FR12JR02.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard, Reverse Polarity
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

12A
Tension - Ventilation

DO-4
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

1242-1212
FR12JR02GN
FR12JR02GN-ND
Température d'utilisation - Jonction

250ns
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Référence fabricant

FR12JR02
Description élargie

Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Configuration diode

25µA @ 100V
La description

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr

800mV @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

600V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FR12JR02".

FR12G02

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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