FR16DR02

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Spécifications

Modèle de produit

FR16DR02
Fabricant / marque

GeneSiC Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FR16DR02.pdf
2.FR16DR02.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard, Reverse Polarity
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

16A
Tension - Ventilation

DO-4
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

FR16DR02GN
Température d'utilisation - Jonction

200ns
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Référence fabricant

FR16DR02
Description élargie

Diode Standard, Reverse Polarity 200V 16A Chassis, Stud Mount DO-4
Configuration diode

25µA @ 100V
La description

DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr

900mV @ 16A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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FR16G05

La description: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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