MBR3530R

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Spécifications

Modèle de produit

MBR3530R
Fabricant / marque

GeneSiC Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.MBR3530R.pdf
2.MBR3530R.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

680mV @ 35A
Tension - inverse (Vr) (max)

30V
Package composant fournisseur

DO-4
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

MBR3530RGN
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Schottky, Reverse Polarity
Description détaillée

Diode Schottky, Reverse Polarity 30V 35A Chassis, Stud Mount DO-4
Courant - fuite, inverse à Vr

1.5mA @ 20V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

35A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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MBR35100R

La description: DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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