MBRT40035R

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Spécifications

Modèle de produit

MBRT40035R
Fabricant / marque

GeneSiC Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.MBRT40035R.pdf
2.MBRT40035R.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

750mV @ 200A
Tension - inverse (Vr) (max)

35V
Package composant fournisseur

Three Tower
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Three Tower
Autres noms

1242-1100
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Schottky, Reverse Polarity
Configuration diode

1 Pair Common Anode
Description détaillée

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
Courant - fuite, inverse à Vr

1mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

400A (DC)

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livraison
Mode de paiement

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Ce qui suit est des produits liés à "MBRT40035R".

MBRT40035L

La description: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor

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