S6Q

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Spécifications

Modèle de produit

S6Q
Fabricant / marque

GeneSiC Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.S6Q.pdf
2.S6Q.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

6A
Tension - Ventilation

DO-4
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

S6QGN
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Référence fabricant

S6Q
Description élargie

Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Chassis, Stud Mount DO-4
Configuration diode

10µA @ 100V
La description

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr

1.1V @ 6A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "S6Q".

1N5293UR-1

La description: CURRENT REGULATOR DIODE

Fabricant: Microsemi

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