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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP1M003A080PH
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6334280GP1M003A080PH imageGlobal Power Technologies Group

GP1M003A080PH

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GP1M003A080PH
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP1M003A080PH.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    I-PAK
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    94W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    696pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    800V
  • Description détaillée
    N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "GP1M003A080PH".
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

La description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

La description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M004A090H

GP1M004A090H

La description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

La description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

La description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

La description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1L57

GP1L57

La description: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

La description: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

La description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

La description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

La description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

La description: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

La description: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

La description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

La description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP1M005A050H

GP1M005A050H

La description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

La description: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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