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GP1M009A020CG

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Spécifications

Modèle de produit

GP1M009A020CG
Fabricant / marque

SemiQ
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

GP1M009A020CG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

52W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

414pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Tc)

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Mode de paiement

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Expédition

Paiement

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GP1M008A025CG

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Fabricant: Global Power Technologies Group

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GP1M008A050HG

La description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

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GP1M008A050CG

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GP1M009A020HG

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GP1M009A060FH

La description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

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GP1M009A020FG

La description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

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GP1M009A070F

La description: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

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GP1M008A050FG

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La description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

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La description: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

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GP1M009A090H

La description: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

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