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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > GSID600A120S4B1
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GSID600A120S4B1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GSID600A120S4B1
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    SILICON IGBT MODULES
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GSID600A120S4B1.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 600A
  • Package composant fournisseur
    Module
  • Séries
    Amp+™
  • Puissance - Max
    3060W
  • Package / Boîte
    Module
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C
  • NTC thermistance
    Yes
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
    51nF @ 25V
  • Contribution
    Standard
  • type de IGBT
    -
  • Description détaillée
    IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1mA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    1130A
  • Configuration
    Half Bridge

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "GSID600A120S4B1".
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

La description: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

La description: IGBT MODULE 1200V 170A

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

La description: IGBT MODULE 1200V 430A

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSIPBS

GSIPBS

La description: GSIPBS ADD-ON INDICATOR KIT

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
RFQ
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

La description: IGBT MODULE 1200V 285A

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

La description: IGBT MODULE 1200V 335A

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

La description: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

La description: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
GSIPBL

GSIPBL

La description: TRIP INDICATOR CONVERSION KIT

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
RFQ
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

La description: SILICON IGBT MODULES

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSID300A125S5C1

GSID300A125S5C1

La description: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

La description: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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