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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > 70T633S10BC
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639270770T633S10BC imageIDT (Integrated Device Technology)

70T633S10BC

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70T633S10BC
  • Fabricant / marque
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1.70T633S10BC.pdf
    2.70T633S10BC.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    2.4 V ~ 2.6 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    256-CABGA (17x17)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    256-LBGA
  • Autres noms
    IDT70T633S10BC
    IDT70T633S10BC-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    9Mb (512K x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
  • Numéro de pièce de base
    IDT70T633
  • Temps d'accès
    10ns

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "70T633S10BC".
70T633S10BFI8

70T633S10BFI8

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T633S10BCI8

70T633S10BCI8

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T633S10BFI

70T633S10BFI

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T631S15BF

70T631S15BF

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T633S10BC8

70T633S10BC8

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T633S10BFG

70T633S10BFG

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T631S15BF8

70T631S15BF8

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T633S10BF8

70T633S10BF8

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T633S10BCGI

70T633S10BCGI

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T631S10BCI8

70T631S10BCI8

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T631S10BF8

70T631S10BF8

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70T631S10BF

70T631S10BF

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T633S10BFG8

70T633S10BFG8

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T633S10BCI

70T633S10BCI

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T631S12BCI8

70T631S12BCI8

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T631S12BF

70T631S12BF

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T631S12BCI

70T631S12BCI

La description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T631S12BF8

70T631S12BF8

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70T633S10BF

70T633S10BF

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70T631S10BCI

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