1984160

70V3569S5DRI

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Spécifications

Modèle de produit

70V3569S5DRI
Fabricant / marque

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

70V3569S5DRI.pdf
Modèle ECAD
Écrire le temps de cycle - Word, Page

-
Tension - Alimentation

3.15 V ~ 3.45 V
La technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Package composant fournisseur

208-PQFP (28x28)
Séries

-
Emballage

Tray
Package / Boîte

208-BFQFP
Autres noms

IDT70V3569S5DRI
IDT70V3569S5DRI-ND
Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Type de mémoire

Volatile
Taille mémoire

576Kb (16K x 36)
Interface mémoire

Parallel
Format de mémoire

SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 5ns 208-PQFP (28x28)
Numéro de pièce de base

IDT70V3569
Temps d'accès

5ns

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Ce qui suit est des produits liés à "70V3569S5DRI".

70V3579S4BCG

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)

En stock

70V3569S5DRI

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