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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > 71T75802S200PFGI8
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71T75802S200PFGI8

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Spécifications
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    71T75802S200PFGI8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.375 V ~ 2.625 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Package composant fournisseur
    100-TQFP (14x14)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    100-LQFP
  • Autres noms
    IDT71T75802S200PFGI8
    IDT71T75802S200PFGI8-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (1M x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP (14x14)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT71T75
  • Temps d'accès
    3.2ns
71T75902S75PFGI8

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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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