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60475371V016SA12YG imageIDT (Integrated Device Technology)

71V016SA12YG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    71V016SA12YG
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    44-SOJ
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    800-2129
    IDT71V016SA12YG
    IDT71V016SA12YG-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Mb (64K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Numéro de pièce de base
    IDT71V016
  • Temps d'accès
    12ns
71V016SA12PHG

71V016SA12PHG

La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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71V016SA12BFGI

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA

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71V016SA12BFI

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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71V016SA15BF8

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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71V016SA15BF

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA

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71V016SA12YG8

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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71V016SA12BFI8

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