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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > 71V35761S183BG8
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390058071V35761S183BG8 imageIDT (Integrated Device Technology)

71V35761S183BG8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    71V35761S183BG8
  • Fabricant / marque
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1.71V35761S183BG8.pdf
    2.71V35761S183BG8.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.135 V ~ 3.465 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous
  • Package composant fournisseur
    119-PBGA (14x22)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    119-BGA
  • Autres noms
    IDT71V35761S183BG8
    IDT71V35761S183BG8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 183MHz 3.3ns 119-PBGA (14x22)
  • Fréquence d'horloge
    183MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT71V35761
  • Temps d'accès
    3.3ns

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71V35761S166BGI8

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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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71V35761S166BGGI8

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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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71V35761S183BGGI

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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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71V35761S166BGG8

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71V35761S183BGGI8

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Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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71V35761S183PFG

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71V35761S166PFG

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71V35761S183BG

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