71V65703S80BQ

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Spécifications

Modèle de produit

71V65703S80BQ
Fabricant / marque

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1.71V65703S80BQ.pdf
2.71V65703S80BQ.pdf
Modèle ECAD
Écrire le temps de cycle - Word, Page

-
Tension - Alimentation

3.135 V ~ 3.465 V
La technologie

SRAM - Synchronous ZBT
Package composant fournisseur

165-CABGA (13x15)
Séries

-
Emballage

Tray
Package / Boîte

165-TBGA
Autres noms

IDT71V65703S80BQ
IDT71V65703S80BQ-ND
Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Type de mémoire

Volatile
Taille mémoire

9Mb (256K x 36)
Interface mémoire

Parallel
Format de mémoire

SRAM
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée

SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 8ns 165-CABGA (13x15)
Numéro de pièce de base

IDT71V65703
Temps d'accès

8ns

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "71V65703S80BQ".

71V65703S80PFG

La description: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)

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