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IS42S32160F-75ETLI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS42S32160F-75ETLI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    86-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (16M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 6ns 86-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    133MHz
  • Temps d'accès
    6ns
IS42S32160F-7TLI

IS42S32160F-7TLI

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-7TL-TR

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-75EBLI

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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